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Bi-CMOSプロセス

ウエハープロセス
Bi-CMOS
	Bi-CMOS A	Bi-CMOS B
電源電圧(V)	12（5） ※2	5
最大電圧 (V)	14	7
設計ルール (μm)	1.5	0.8
Nch VT (V)	0.7	0.7
Pch VT (V)	0.8	0.8
NPN ft (GHz)	3	13
V-PNP ft (GHz)	-	2
L-PNP ft (MHz)	70	60
メタル層	2	2

※2-（　　）はMOS部の電源電圧


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