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NECセミコンダクターズ山形
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 DIP
 SOP/QFP

Bipolarプロセス



ウエハープロセス
Bip
  Bip A Bip B Bip C
電 源 電 圧(V)
9 , 12 40 9

最 大 電 圧 (V)

11 , 14 44 11
設計ルール (μm) 1.5 1.8 1.4
NPN ft (GHz) 3 1.5 7
V-PNP ft (GHz) 0.5 0.07 0.6
L-PNP ft (MHz) 30 1 40
メタル層 2 2 2

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