NECエレクトロニクス NEC
NECセミコンダクターズ山形
ホーム 会社概要 事業紹介 採用情報 環境活動 社会貢献 お問い合わせ サイトマップ
事業紹介
主な製品
半導体のあゆみ
半導体ができるまで
最先端ラインの概要
ファウンドリーサービス
サービスフロー
ウエハープロセス/
パッケージ
 ウエハープロセス概要
 CMOSプロセス
 Bi-CMOSプロセス
 Bipolarプロセス
 パッケージ概要
 CSP
 DIP
 SOP/QFP

CMOSプロセス



      
ウエハープロセス
CMOS
  CMOS A CMOS B CMOS C
電 源 電 圧(V) 5 3 ,  5 低圧部5、高圧部40
最 大 電 圧 (V) 6 6 低圧部6、高圧部44
設計ルール (μm) 0.8 1.2 1.5
Nch VT (V) 0.7 0.7(0.55) ※1 0.7
Pch VT (V) 0.8 0.8(0.55) ※1 0.8
メタル層 2 2 2
Nch高耐圧 VT (V) - - 0.85
Pch高耐圧 VT (V) - - 1.15

※1-(  )の電源電圧は3V系
ご利用にあたって  個人情報保護について © NEC Semiconductors Yamagata,Ltd.