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CMOSプロセス
| ウエハープロセス |
| CMOS |
| |
CMOS
A |
CMOS
B |
CMOS C |
| 電
源 電 圧(V) |
5 |
3 ,
5 |
低圧部5、高圧部40 |
| 最
大 電 圧 (V) |
6 |
6 |
低圧部6、高圧部44 |
| 設計ルール
(μm) |
0.8 |
1.2 |
1.5 |
| Nch
VT (V) |
0.7 |
0.7(0.55)
※1 |
0.7 |
| Pch
VT (V) |
0.8 |
0.8(0.55)
※1 |
0.8 |
| メタル層 |
2 |
2 |
2 |
| Nch高耐圧
VT (V) |
- |
- |
0.85 |
| Pch高耐圧
VT (V) |
- |
- |
1.15 |
※1-( )の電源電圧は3V系 |
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