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ウエハープロセス概要
| ウエハープロセス概要 |
| 区 分 |
プロセス名 |
ウエハー
プロセス |
電源電圧 |
主な特徴 |
オプション |
| CMOS |
CMOS
A |
0.8μ
m CMOS |
5V |
汎用CMOS |
オプションなし |
| CMOS
B |
1.2μ
m CMOS |
3V,
5V |
汎用CMOS |
Pchデプレッション（１PR追加）
高抵抗ポリシリ抵抗（1PR追加） MOS容量（1PR追加） |
| CMOS
C |
1.5μ m CMOS |
低圧部5V、高圧部40V |
高耐圧CMOS（耐圧40V） |
高抵抗ポリシリ |
| Bi-CMOS |
Bi-CMOS
A |
1.5μ
m Bi-CMOS |
12V
（MOS5V） |
Bi-CMOS（ft：3GHz） |
オプションなし |
| Bi-CMOS
B |
0.8μ
m Bi-CMOS |
5V |
高速Bi-CMOS（ft：13GHz） |
V-PNP（拡散2PR、埋込1PR追加）
CMOS入出力（1PR追加） |
| Bip |
Bip
A |
1.5μ
m Bip |
9V,
12V |
汎用バイポーラ
（ft：3GHz） |
V-PNP（拡散1PR、埋込1PR追加）
P-抵抗（追加なし） 大容量コンデンサ（追加なし） |
| Bip
B |
1.8μ
m Bip |
40V |
高耐圧バイポーラ
アナログマスターMCHS相当 (ft：2GHz) |
V-PNP（追加なし）
高抵抗ポリシリ抵抗（1PR追加） P-抵抗（1PR追加） 大容量コンデンサ（1PR追加） |
| Bip
C |
1.4μ
m Bip |
9V |
汎用バイポーラ
アナログマスターVCHS相当 (ft：7GHz) |
V-PNP（拡散1PR、埋込2PR追加）
高抵抗ポリシリ抵抗（1PR追加） P-抵抗（追加なし） 大容量コンデンサ（1PR追加） |
| ※ウエハーサイズは、全て5インチです。 |
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ご利用にあたって 